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周一，宇宙存储芯片板块遭受市集情感的厉害冲击。受国际流动性收紧预期几 DRAM 现货价钱数月来初度下落的影响，韩国存储巨头股价大跌，A 股存储板块亦在情感面压制下进展疲软。市集担忧情感主要源于对"现货价钱下落意味着周期见顶"的败坏。
接头词，高盛在 2 月 2 日发布的最新研报中，对这一悲不雅预期作念出了强力反驳。讲授指出，尽管现货市集出现波动，但 DRAM 的合约价钱不仅未跌，反而迎来了更厉害的高涨预期。高汜博幅上调了 2026 年一季度 DRAM 价钱涨幅预测，瞻望环比涨幅将高达 90-95%，远超此前市集及该行本身的预期。
在这一布景下，现时市集的下落被视为对基本面的误读。现货价钱与期货（合约）价钱之间存在纷乱价差，当今高价现货市集呈现"有价无市"的情状，而果真决定企业盈利的合约市集仍处于强势高涨通谈。高盛重申了对三星（SEC）和 SK 海力士的"买入"评级，合计利空音信烦嚣了科技股进展，实则是对存储芯片的一次"错杀"。
DRAM 合约价预期飙升：一季度或暴涨 95%
高盛分析师 Giuni Lee 团队在讲授中指出，2026 年一季度主要期骗领域的 DRAM 订价预测均已大幅上调。额外是传统 DRAM 的合座订价，瞻望将在 2025 年四季度环比高涨 45-50% 的基础上，于 2026 年一季度进一步达成 90-95% 的环比增长。这一预测数据显贵高于高盛此前对三星和 SK 海力士 77-82% 的环比增长预期，同期也高于华尔街的一致预期。
移动端 NAND（eMMC/UFS）方面，2026 年一季度的合约价钱也瞻望环比高涨 55-65%，这与高盛此前对合座 NAND 订价环比高涨 45-70% 的预测基本一致。尽管耗尽电子需求在淡季有所减轻，但企业级 SSD（eSSD）和 AI 接头存储需求的强劲，导致智高手机和 PC 客户取得的供应配额有限，从而链接推高了这些细分市集的价钱。
PC 与职业器 DRAM：供应逶迤推高溢价
在细分领域，PC DRAM 和职业器 DRAM 的加价能源尤为强劲。TrendForce（集邦规划）已将 2026 年一季度 PC DRAM 合约价钱预测上调至环比增长 105-110%，同期防守二季度环比增长 20-25% 的预测。这一数据远高于高盛此前预估的 80-90%，示意市集存在进一步的上行空间。
具体来看，1 月份 DDR4 8GB 模组价钱环比高涨 83% 至 85 好意思元，DDR5 8GB 模组价钱环比高涨 90% 至 75 好意思元。跟着部分价钱谈判直至 1 月份才结果，且供应商库存抓续垂死，本季度剩余本事内价钱仍有进一步高涨的可能。
职业器端雷同面对供不应求的口头。尽管供应商已将部分产能从 PC 和智高手机转向职业器，但在北好意思和中国云职业提供商（CSP）强劲需求的撑抓下，供应也曾受限，供应商的订价权保抓强势。TrendForce 将 2026 年一季度职业器 DRAM 合约价钱预测上调至环比增长 88-93%，略高于高盛此前 75-80% 的预期。值得把稳的是，DDR5 比拟 DDR4 的溢价正在收窄，1 月份 DDR5 64GB 模组比拟同规格 DDR4 的溢价已降至 9%。
移动端 DRAM：AI 需求挤占产能
移动端 DRAM 市集并未耳旁风。TrendForce 将 2026 年一季度 LPDDR5X 的价钱预测从之前的环比增长 45-50% 大幅上调至 88-93%。
这一激进的加价预期背后的逻辑在于产能挤压：职业器客户对存储芯片的强劲需求正在扩大其他期骗领域的供需缺口。跟着供应商优先得志利润更高的职业器和 AI 接头需求，移动端 DRAM 的供应变得愈发垂死，从而迫使价钱大幅上行。这一最新预测也显贵高于高盛此前对三星和海力士在该领域 75-80% 的环比涨幅预期。
估值与规画价：重申买入评级
基于强劲的价钱高涨预期，高盛重申了对韩国两大存储巨头的看好。关于三星，高盛基于 2026 年预期的 EV/EBITDA 估值模子，予以等闲股 205,000 韩元的规画价，主要下行风险包括存储供需恶化及智高手机利润率收缩。
关于 SK 海力士，高盛予以 1,200,000 韩元的 12 个月规画价。分析师指出，鉴于海力士在 HBM（高带宽内存）收入上的显贵增长，其相干于三星应享有 30% 的" AI 溢价"。该规画价基于 2.8 倍的规画市净率（P/B）盘算得出，参考了上一轮强劲订价上行周期（2009-2010 年）的估值峰值。
要而言之，固然短期现货市集的价钱波动激励了投资者的败坏，但从高盛及 TrendForce 的数据来看，存储芯片行业的合约价钱正处于连年来最厉害的高涨周期之中。市集关于"周期见顶"的担忧网上配资炒股，或是一次因信息折柳称而导致的错杀。
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